碳化硅粉的制备工艺与质量控制
　　碳化硅粉的制备需经过多道工序，工艺选择直接影响其纯度、粒径与性能。主流制备方法为“合成-研磨-提纯”三步法：首先以石英砂与焦炭为原料，在1600-2200℃电弧炉中合成碳化硅晶体；随后通过机械研磨（如球磨、气流磨）将晶体破碎成粉末，气流磨可精准控制粒径，产出粒径1-10微米的细粉；最后通过酸洗、碱洗去除杂质（如铁、硅氧化物），再经烘干、分级，得到合格产品。
　　质量控制是碳化硅粉生产的核心。纯度方面，需通过ICP-MS检测杂质含量，电子级碳化硅粉要求金属杂质低于1ppm；粒径分布需用激光粒度仪监测，确保粒径偏差控制在±5%以内，避免影响后续成型工艺；颗粒形貌也需管控，球形度高的碳化硅粉流动性更好，更适合陶瓷注射成型。
　　不同领域对碳化硅粉指标要求差异大：磨料用粉侧重硬度与粒径均匀性，电子用粉则需极高纯度与细粒径。完善的制备工艺与严格的质量检测，是保障碳化硅粉适配各行业需求的关键，也是推动其向高端应用突破的基础。